不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9600pF @ 15V

Vgs（最大值）：±12V

功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 14.9A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-DSO-8

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：88nC @ 4.5V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：P-Channel

Id-连续漏极电流：14.9A

Rds On-漏源导通电阻：6.7mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：1.2V

Vgs - 栅极-源极电压：12V

Qg-栅极电荷：-88nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：2.5W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：CutTape

高度：1.75mm

长度：4.9mm

系列：OptiMOSP

晶体管类型：1P-Channel

宽度：3.9mm

正向跨导 - 最小值：40S

下降时间：162ns

上升时间：99ns

典型接通延迟时间：21ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs